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高真空三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道質(zhì)量流量控制器和高真空機組組成的CVD系統(tǒng)，其爐管直徑為4″，Z高溫度可達1200℃，極限真空可達 10-5 torr，混氣系統(tǒng)可對1-9種氣體進行精確的混合，然后導入管式爐內(nèi)部，可用來研究氣體環(huán)境對材料的影響。

帶滑動法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過調(diào)整三個溫區(qū)而建立不同梯度的熱場，可進行退火、擴散、在不同氣氛中燒結(jié)樣品及CVD等實驗。

4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)是為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，環(huán)境溫度在100-300℃，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應物的活性，這些具有反應活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學反應沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）。

1700℃單溫區(qū)三通道混氣CVD系統(tǒng)GSL-1700X-F3LV是由單溫區(qū)管式爐、三路浮子混氣系統(tǒng)和雙旋片式真空泵組成，Z高工作溫度可達1700℃，混氣系統(tǒng)可以對三種氣體進行精確的混氣，真空度可達5×10-2 torr。

1700℃兩通道混氣高真空CVD系統(tǒng)GSL-1700X-4-C2HV是由單溫區(qū)管式爐、兩路質(zhì)子混氣系統(tǒng)和高真空機組組成，Z高工作溫度可達1600℃，混氣系統(tǒng)可以對兩種氣體進行精確的混氣，然后導入管式爐內(nèi)部，本系統(tǒng)極限真空度可達10-5 torr。

該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）工藝研發(fā)設(shè)備。脈沖激光沉積 （Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。